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类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: 8-TSSOP 栅源极电压Vgs(Max): ±8V 连续漏极电流ID(25°C): 6.2A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 450mV @ 250µA (Min) 栅极电荷@Vgs: 70 nC @ 5 V 功率耗散(Max): 1.08W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®
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