SI8401DB-T1-E1

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SI8401DB-T1-E1

封装： MicroFoot-4

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: MicroFoot-4 栅源极电压Vgs(Max): ±12V 连续漏极电流ID(25°C): 3.6A (Ta) FET通道极性: P-Channel 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 20 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 4.5 V 功率耗散(Max): 1.47W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: SMD/SMT 系列: SI8