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SI8439DB-T1-E1
品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)
型号： SI8439DB-T1-E1
封装： 4-Microfoot
量产： 量产中
数据手册原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: 4-Microfoot 栅源极电压Vgs(Max): ±5V 连续漏极电流ID(25°C): 5.9A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 8 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 25mOhm @ 1.5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 800mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 50 nC @ 4.5 V 功率耗散(Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®
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