• 在线客服

首页 > FET,MOSFET - 阵列 > SIA915DJ-T4-GE3
图片仅供参考,请查阅数据手册

SIA915DJ-T4-GE3

品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号: SIA915DJ-T4-GE3

封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual

量产: 量产中

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 阵列

描述: 封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual 安装类型: Surface Mount 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流ID(25°C): 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 275pF @ 15V 功率(Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) FET通道极性: 2 P-Channel (Dual)

  • 更多供应商

  • 替代型号(0个)

  • 详细参数(85%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
自营

电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

- - -
-

暂无数据

对比

清空对比栏