SIB417EDK-T1-GE3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SIB417EDK-T1-GE3

封装： PowerPAK-SC75-6

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: PowerPAK-SC75-6 栅源极电压Vgs(Max): ±5V 连续漏极电流ID(25°C): 9A (Tc) FET通道极性: P-Channel 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 8 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 58mOhm @ 5.8A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 12 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 565 pF @ 4 V 功率耗散(Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: SMD/SMT 系列: SIB