SIDR392DP-T1-GE3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SIDR392DP-T1-GE3

封装： PowerPAK® SO-8DC

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: PowerPAK® SO-8DC 栅源极电压Vgs(Max): +20V, -16V 连续漏极电流ID(25°C): 82A (Ta), 100A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 188 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 9530 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET® Gen IV