SIHD6N65ET5-GE3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： SIHD6N65ET5-GE3

封装： TO-252-3

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-252-3 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 7A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 650 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 48 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 820 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 78W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: SMD/SMT 系列: E