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SISF20DN-T1-GE3
品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)
型号： SISF20DN-T1-GE3
封装： PowerPAK® 1212-8SCD
量产： 量产中
数据手册原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: PowerPAK® 1212-8SCD 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流ID(25°C): 14A (Ta), 52A (Tc) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 33nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 1290pF @ 30V 功率(Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)
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