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原厂交期： 24W
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: SIP12 安装类型: Through Hole 漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流ID(25°C): 4A FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 550mΩ @ 2A, 4V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 142nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 150pF @ 10V 功率(Max): 5W 工作温度范围: 150℃ FET通道极性: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
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