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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1.9A FET通道极性: N-Channel 漏源电压（Vdss）: 650V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.15Ω@1A,10V 栅极电荷@Vgs: 5.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 252pF@25V 功率耗散(Max): 36W 工作温度范围: -55℃~+150℃
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