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SQJ200EP-T1_GE3

品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号: SQJ200EP-T1_GE3

封装: PowerPAK-SO-8-4

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: PowerPAK-SO-8-4 FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) 技术: Si 漏源电压(Vdss): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 18nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 975pF @ 10V 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: SMD/SMT 系列: SQ

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