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SQJ504EP-T1_GE3
品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)
型号： SQJ504EP-T1_GE3
封装： PowerPAK® SO-8 Dual
量产： 量产中
数据手册原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: PowerPAK® SO-8 Dual 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 40V 连续漏极电流ID(25°C): 30A (Tc) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V 功率(Max): 34W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) FET通道极性: N and P-Channel
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