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SQW61N65EF-GE3

品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号: SQW61N65EF-GE3

封装: TO-247AD

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-247AD 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 62A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压(Vdss): 650 V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 344 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 7379 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 625W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: Automotive, AEC-Q101, E

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