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原厂交期： -
类别： 双极 (BJT) - 阵列
描述： 封装: 8-SIP 集电极电流Ic(Max): 4A 集射极击穿电压(Max): 100V 晶体管类型: 3 NPN Darlington (Emitter Coupled) 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 2V @ 10mA, 2A 集电极截止电流(Max): 100µA (ICBO) 直流电流增益(Min): 1000 @ 2A, 4V 功率(Max): 3W 工作温度范围: 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole
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