STB80NF55L-08-1

品牌： ST(意法半导体)

型号： STB80NF55L-08-1

封装： TO-262

量产： 停产

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: I2PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±16V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 55 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 100 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 4350 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 300W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Through Hole 系列: STripFET™ II