STD1NK60T4

品牌： ST(意法半导体)

型号： STD1NK60T4

封装： TO-252

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8.5Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.7V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 156 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 30W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SuperMESH™