• 在线客服

首页 > FET,MOSFET - 单 > STD5N60DM2
图片仅供参考,请查阅数据手册

STD5N60DM2

品牌: ST(意法半导体)

型号: STD5N60DM2

封装: TO-252-3

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 3.5A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.55Ω @ 1.75A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 5.3nC@0~10V 输入电容(Max)@Vds: 214pF@100V 功率耗散(Max): 45W (Tc) 工作温度范围: -55℃~+150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MDmesh™ DM2

  • 更多供应商

  • 替代型号(100个)

  • 详细参数(75%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
自营

电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

当日发货 20 CN1815

1+ ¥4.972

¥4.972

联营

电话:-

邮箱:-

3-5天 - -

1+ ¥3.0723

暂无数据

对比

清空对比栏