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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 3.5A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.55Ω @ 1.75A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 5.3nC@0~10V 输入电容(Max)@Vds: 214pF@100V 功率耗散(Max): 45W (Tc) 工作温度范围: -55℃~+150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MDmesh™ DM2
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | 当日发货 | 20 | CN1815 | 1+ ¥4.972 | ¥4.972 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | - | - | 1+ ¥3.0723 | |