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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.2mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 2200 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 70W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
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