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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±16V 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 70 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2500 pF @ 25 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 110W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: STripFET™ III
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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| TO252(DPAK) | - | TO252(DPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO252(DPAK) | - | TO252(DPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO-252 | - | TO-252 - | - | 0 pcs | - | 编带 | 0 pcs 编带 - | 1+ ￥1.556 | ￥1.556 | |
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| DPAK | - | DPAK - | - | 0 pcs | - | 编带 | 0 pcs 编带 - | 1+ ￥5.11896 | ￥5.11896 | |
| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
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| TO252(DPAK) | - | TO252(DPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO263 | - | TO263 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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对比
| TO262 | - | TO262 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥13.17 | ￥13.17 | |
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对比
| TO251(IPAK) | - | TO251(IPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥12.68925 | ￥12.68925 | |
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对比
| PG-TO262-3 | - | PG-TO262-3 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥7.27 | ￥7.27 | |
 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 非PIN TO PIN | 相似度88%
对比
| TO252(DPAK) | - | TO252(DPAK) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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