STF25N60M2-EP

品牌： ST(意法半导体)

型号： STF25N60M2-EP

封装： TO-220FP

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-220FP 栅源极电压Vgs(Max): ±25V 连续漏极电流ID(25°C): 18A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 188mΩ @ 9A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.75V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1090 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 30W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ M2-EP