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类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO220FP 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 25A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 130mΩ @ 12.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 100 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2800 pF @ 50 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 40W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: FDmesh™ II
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