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STGW30NC60VD

品牌: ST(意法半导体)

型号: STGW30NC60VD

封装: TO-247

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 30W

类别: IGBT,MOSFET - 单

描述: 封装: TO247-3 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 600 V 集电极电流Ic(Max): 80 A 集电极脉冲电流(Icm): 150 A 集射极导通电压: 2.5V @ 15V, 20A 功率(Max): 250 W 开关能量: 220µJ (on), 330µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 100 nC 25°C 时 Td(开/关)值: 31ns/100ns 测试条件: 390V, 20A, 3.3Ω, 15V 反向恢复时间(trr): 44 ns 工作温度范围: -55℃~150℃ 系列: PowerMESH™

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