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原厂交期： 52W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: H2PAK-2 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 180A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 100 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.5mΩ @ 60A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 160 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 11550 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 300W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: STripFET™
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | 当日发货 | 10 | 老批次 | 1+ ￥7.337 | ￥7.337 |
