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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-220FP 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 20A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 290mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 39nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1.5nF@25V 功率耗散(Max): 45W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
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联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 10 | 2206 | 1+ ¥36.2747 | ¥36.2747 | |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 50 | - | 1+ ¥42.40275 | ¥42.40275 |