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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-220(TO-220-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 20A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 165mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1800 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 140W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II
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| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
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联营  | 电话：- 邮箱：- | 3-5天 | 10 | 2106 | 1+ ￥11.41602 | ￥11.41602 |
