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STP75NS04Z

品牌: ST(意法半导体)

型号: STP75NS04Z

封装: TO220

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 33 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 11mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 50 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1860 pF @ 25 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 110W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: MESH OVERLAY™ III

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STP100N10F7
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STP100N10F7

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IPP062NE7N3GXKSA1
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INFINEON(英飞凌)

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