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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-247 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 15A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 900V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 550 mΩ @ 7.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 150µA 栅极电荷@Vgs: 256nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 6100pF @ 25V 功率耗散(Max): 350W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperMESH™
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
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