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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247-3 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 35A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 88mΩ @ 17.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 130 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 4200 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 255W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | 当日发货 | 5 | CN0947 | 1+ ￥62.15 | ￥62.15 |
