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类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-247 栅源极电压Vgs(Max): 25V 连续漏极电流ID(25°C): 69A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 38mΩ @ 34.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 200 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 9800 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 400W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ V
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