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品牌: Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)
型号: SUD50N03-09P-GE3
封装: TO-252AA
量产: 量产中
数据手册原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252AA 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 63A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压(Vdss): 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 2200 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 系列: TrenchFET®
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - |
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