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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: SOT-23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 200mA(Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: Si 漏源电压(Vdss): 60 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 17 pF @ 10 V 功率耗散(Max): 320mW(Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: SMD/SMT 系列: T2N7002
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
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