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原厂交期： 24W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DPAK+ 栅源极电压Vgs(Max): +10V, -20V FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 60 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 7.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1770 pF @ 10 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 41W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: U-MOSVI
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