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原厂交期： 15W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: PQFN3(5*6) 栅源极电压Vgs(Max): ±18V 连续漏极电流ID(25°C): 3.6A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 650 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 8V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 560mΩ @ 3.4A, 8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.8V @ 500µA 栅极电荷@Vgs: 9 nC @ 8 V 输入电容(Max)@Vds: 760 pF @ 400 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 13.2W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SuperMESH™
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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| TO220AB | - | TO220AB - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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