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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-220F 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): 11A FET通道极性: P Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 110mΩ @ -1A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 20.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 890pF@100V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃
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| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
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