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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: VS8(2.9*1.5) 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 30V FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 2A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 10nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 470pF @ 10V 功率(Max): 330mW 工作温度范围: 150℃ FET通道极性: N and P-Channel
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