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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO220F 栅源极电压Vgs(Max): ±30.0V 连续漏极电流ID(25°C): 15A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 250mΩ @ 1.5A,2.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 输入电容(Max)@Vds: 1048pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: 150℃
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详细参数(65%)
品牌：
全部
ST(意法半导体)
INFINEON(英飞凌)
KIOXIA(铠侠)
国别/地区：
全部
日本
德国
瑞士
综合排序： 价格
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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对比
| PowerFlat™ (8*8) HV | - | PowerFlat™ (8*8) HV - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥18.81758 | ￥18.81758 | |
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对比
| PG-VSON-4 | - | PG-VSON-4 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥13.96 | ￥13.96 | |
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对比
| PowerFlat™ (8*8) HV | - | PowerFlat™ (8*8) HV - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥25.3064 | ￥25.3064 | |
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对比
| DFN-EP-4(8*8) | - | DFN-EP-4(8*8) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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