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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: SOT23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 30A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): -60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 15Ω @ 0.01A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 输入电容(Max)@Vds: 830pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: 150℃
型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格(含税) | 合计(含税) | |
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国产 | PIN TO PIN | 相似度100%
对比
| TO220(P) | - | TO220(P) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| TO-220SIS | - | TO-220SIS - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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PIN TO PIN | 相似度100%
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