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TSD60R460S1

品牌： Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

型号： TSD60R460S1

封装： TO252

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO252 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 24.5mΩ @ 8A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 2860pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
TSM60NB380CH C5G
TSM60NB380CH C5G
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TSM60NB380CH C5G

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TSC(台半)

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CS4N60A4HDY
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CS1N60C4H-G

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CR Micro(华润微)

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BlueRocket(蓝箭)

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