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原厂交期： 28W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 30mA (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 800Ω @ 16mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 8µA 栅极电荷@Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 51.42 pF @ 25 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 500mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: U-MOSVIII-H
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 12000+ ￥1.82047 | |
