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原厂交期： 20W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: PDFN8(3*3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 36A (Tc) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 15mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29.3 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1829 pF @ 15 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 27.8W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: UniFET™
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