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原厂交期： 20W
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: TDFN6(2*2) 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流ID(25°C): 11.6A (Tc), 9A (Tc) FET 功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 30mΩ @ 6.4A, 4.5V, 55mΩ @ 5A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 输入电容(Max)@Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 功率(Max): 6.25W 工作温度范围: -55℃~150℃ FET通道极性: N and P-Channel
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