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原厂交期： 18W
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: TDFN6(2*2) 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 20V 连续漏极电流ID(25°C): 4.7A (Tc) FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 3A, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 800mV @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9.6nC @ 4.5V 输入电容(Max)@Vds: 1230pF @ 10V 功率(Max): 620mW 工作温度范围: -50℃~150℃ FET通道极性: 2 P-Channel (Dual)
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