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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO252(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 6A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 750mΩ @ 3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 10.8 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 554 pF @ 100 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 62.5W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: U-MOSIV
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