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TSP10N60M

品牌： Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

型号： TSP10N60M

封装： TO-220

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-220 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 20mΩ @ 6A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 1620pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃

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品牌：
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国别/地区：
全部 中国 中国台湾 日本 美国 德国 瑞士
综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
TSM10N60CZ C0G
TSM10N60CZ C0G
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TSM10N60CZ C0G

TSM10N60CZ C0G

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TSC(台半)

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PNMTO600V8
PNMTO600V8
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Prisemi(芯导电子)

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TSM60N380CZ
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TSC(台半)

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CR Micro(华润微)

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GOODARK(好方舟电子)

TO220
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TSP60R380S1
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TSP60R380S1

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

TO220
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HPP600R160PC-G

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