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原厂交期： 36W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247-4 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 28A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Cascode SiCJFET) 漏源电压（Vdss）: 750 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 74mΩ @ 20A, 12V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 6V @ 10mA 栅极电荷@Vgs: 37.8 nC @ 15 V 输入电容(Max)@Vds: 1422 pF @ 100 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 155W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ V
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