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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SO-8 栅源极电压Vgs(Max): 3V 连续漏极电流ID(25°C): 9.5A(Tc) FET通道极性: 2P-Channel 漏源电压（Vdss）: 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 21 栅源极阈值电压(Max)@Id: 12 功率耗散(Max): 2.5W
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