VP0109N3-G

品牌： MICROCHIP(微芯)

型号： VP0109N3-G

封装： TO-92(TO-92-3)

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-92(TO-92-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 250mA (Tj) FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 90V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 22 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 60 pF @ 25 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 1W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: OptiMOS™ 5