VP0808B-E3

品牌： Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

型号： VP0808B-E3

封装： TO-39

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: TO-39 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 880mA (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 80 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 1mA 输入电容(Max)@Vds: 150 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 6.25W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole