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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): ±20.0V 连续漏极电流ID(25°C): 20A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压(Vdss): 200V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 38mΩ @ 2.0A,2.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 68nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 3.1nF@30V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营 | 电话:- 邮箱:- | 3-5天 | 100 | - | 1+ ¥2.0724 10+ ¥1.9404 50+ ¥1.7424 150+ ¥1.6104 300+ ¥1.518 500+ ¥1.4784 | ¥2.0724 |