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首页 > 品牌详情 > FET,MOSFET - 单

系列

FET通道极性

技术

漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

栅源极电压Vgs(Max)

输入电容(Max)@Vds

FET 功能

功率耗散(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

导通电阻@(Rdson)@10V

-

导通电阻@(Rdson)@4.5V

-

导通电阻@(Rdson)@2.5V

-

导通电阻@(Rdson)@1.8V

-
筛选结果: 57
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
BS170
BS170
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BS170

BS170

对比

NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

TO-92

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TO-92

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2N7002
2N7002
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2N7002

2N7002

对比

NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

SOT-23-3

-

SOT-23-3

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0 pcs

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0 pcs

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2N7000
2N7000
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2N7000

2N7000

对比

NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

TO-92

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TO-92

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IRF730
IRF730
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IRF730

IRF730

对比

NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

TO-220

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TO-220

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IRF350
IRF350
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IRF350

IRF350

NTE Electronics Inc.(NTE Electronics)

TO3

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TO3

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0 pcs

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对比

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